【Maker電子學】Flash 記憶體的原理與應用—PART12

Posted By Liang Bird on 9 月 26, 2024 in Flash 記憶體, Maker電子學, 教學文, 電子學 | 0 comments

上一回【Maker電子學】Flash 記憶體的原理與應用—PART11，我們說明了 SPI NOR flash 的分區結構，以及抹除指令如何執行。我們從 datasheet 中也發現抹除指令需要花很長的時間執行，而且執行所需的時間並不固定，因此我們需要有個方法來知道抹除指令完成了沒。

這一回我們會繼續說明這個等待並偵測抹除指令執行狀態的機制。

寫入開關

上一回我們漏了一件事。SPI NOR flash 在執行任何寫入、抹除的動作之前，需要先下一個指令，叫做 WE（write enable），這個指令沒有資料，只有一個指令碼 0x06，事實上這就是我們前兩回在介紹 SPI 上的指令格式時，所介紹的第一個指令。

（圖片來源：Bird 提供）

如果沒有執行這個指令就執行抹除或寫入指令，寫入的指令就不會被接受。write enable 指令的有效期間只有一個寫入指令；換句話說，如果我們下了 WE，再下一個 sector erase，在 sector erase 結束後，WE 也會一併失效；如果還要再執行另一個 erase 指令，就會需要再下一個 WE 指令。

狀態暫存器

W25Q32JV 內部共有三個狀態及設定暫存器（status and configuration register），可以反映晶片的狀態、調整晶片的一些設定。

其中第一個狀態暫存器 SR1 是我們最常用到的。